Gallium nitride (GaN) is a key material for the future of power electronics: from electric vehicles to smart grids. But native GaN substrates are expensive and limited in size, slowing down large-scale adoption.
Our study shows:
- GaN layers grown on cost-efficient substrates (like silicon and sapphire) can maintain strong thermal performance.
- GaN-on-Si achieved thermal conductivity comparable to expensive native GaN.
- Advanced tools (Scanning Thermal Microscopy, Raman analysis) enabled us to link heat transport to crystal quality.
This research opens the door to scalable, affordable, and reliable GaN technology, accelerating industrial deployment.
Link to paper: https://pubs.aip.org/aip/jap/article/138/7/075104/3359451/Thermal-properties-of-GaN-layers-on-foreign-vs
Neues Paper: Können leistungsstarke GaN-Bauelemente ohne teure native GaN-Substrate hergestellt werden?
Galliumnitrid (GaN) ist ein Schlüsselmaterial für die Zukunft der Leistungselektronik - von Elektrofahrzeugen bis hin zu intelligenten Stromnetzen. Doch native GaN-Substrate sind teuer und in ihrer Größe begrenzt, was die breite Anwendung erschwert.
Unsere Studie zeigt:
- GaN-Schichten auf kostengünstigen Substraten (wie Silizium und Saphir) können eine starke thermische Leistung beibehalten.
- GaN-auf-Silizium erreichte eine Wärmeleitfähigkeit, die mit der von teuren nativen GaN-Substrate vergleichbar ist.
- Fortschrittliche Methoden (Scanning Thermal Microscopy, Raman-Analyse) ermöglichten es, den Wärmetransport mit der Kristallqualität zu verknüpfen.
Dieses Forschungsprojekt ebnet den Weg für skalierbare, leistbare und zuverlässige GaN-Technologie – ein Schritt in Richtung breiter industrieller Anwendung.
Zum Artikel: https://pubs.aip.org/aip/jap/article/138/7/075104/3359451/Thermal-properties-of-GaN-layers-on-foreign-vs
