Routinemäßig werden am MCL mittels Röntgenbeugung qualitative und quantitative Phasenanalysen (z.B. Restaustenitbestimmung) sowie die Analysen von Orientierungsbeziehungen und Eigenspannungen durchgeführt.
Eine kürzlich neu eingeführte Methode ist die Bestimmung der Krümmung von monokristallinen Oberflächen, die darüber hinaus bei bekannten mechanischen Eigenschaften die Bestimmung der Eigenspannungen ermöglicht.
Relevant ist das Verfahren u.a. für in organische, aufgrund ihrer günstigen Transmissionseigenschaften durchstrahlbare, Harze eingebettete Bauteile in der Mikroelektronik (z.B. eingebettete Si-Wafer), die einer thermisch-zyklischen Beanspruchung unterliegen.
Konkret wird dazu der Winkel zwischen Röntgenstrahl und Detektor auf einen ausgewählten Beugungsreflex des untersuchten Einkristalls eingestellt. Durch die Messung der Beugungsintensität während der Drehung der Probe um eine Achse senkrecht zum einfallenden und zum gebeugten Strahl treten bei gekrümmter Oberfläche nach und nach Zonen bestimmter Orientierung in Reflexionsstellung. Durch wiederholte Messungen lässt sich die Oberflächenform rekonstruieren.